公司新闻

         7月8日，2024慕尼黑上海电子展在上海新国际博览中心开幕，本届展会以新能源汽车、储能、智能驾驶、卫星通信、机器人、可穿戴、智能建筑、边缘智能、智慧电源、第三代半导体等应用领域为年度热门趋势，汇聚国内外优质电子企业，旨在打造从产品设计到应用落地的横跨产业上下游的专业展示平台。普赛斯仪表携半导体测试测量设备及测试解决方案亮相E7馆 7162展位。

        半导体产业作为电子信息制造业高地，是经济和社会发展的战略性、先导性和基础性产业， 涉及大量先进科学技术。“碳达峰”、“碳中和”目标也同时强调和指明了能源结构调整方向，再次将节能减排、低碳经济推向高潮。以IGBT为代表的功率半导体是电力电子设备的核心器件，也是能源转换与传输的关键。

        在新能源汽车、光伏储能、轨道交通、工业控制等领域，碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等第三代半导体材料由于其具有高温、高压、高频、抗辐射等特点备受青睐，可实现更高效的电子电力设备。然而，由于其上市应用时间相对较短，潜在的缺陷尚未完全暴露，失效机制也尚未清晰。因此，通过科学的测试测量手段，对其进行有效的评估和验证尤为重要。

        通常，IGBT/SiC/GaN功率半导体器件特性测试分为静态特性测试和动态特性测试，静态特性测试主要是表征器件本征特性指标，如击穿电压 V(BR)DSS、漏电流ICES/IDSS/IGES/IGSS、阈值电压VGS(th)、跨导Gfs、压降VF 、导通内阻RDS(on)等；动态特性测试是功率半导体器件的重要特性，如开通特性测试、关断特性测试、FRD反向恢复特性测试、栅极电荷特性测试、短路特性测试、模块电感特性测试、安全工作区SOA特性测试等，主要采用双脉冲测试进行。

深度融合

  功率半导体电性能表征一站式解决方案  

        普赛斯仪表以核心源表为基础，聚焦功率半导体测试需求，从底层研发着手，大力推动多维技术的融合创新，对核心技术攻坚克难，展会现场展出了功率半导体静态测试一体化解决方案。

PMST系列功率器件静态参数测试系统

        PMST系列功率器件静态参数测试系统集多种测量和分析功能于一体，不仅提供IV、CV、跨导等多元化的测试功能，具备高电压和大电流特性（10kV/6000A），以及μΩ级精确电阻测量和nA级漏电流测量能力，能够全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征和测试需求。核心关键仪表均自主研发，凭借其优异的性能、灵活的配置和易操作的用户界面，成为众多功率半导体厂家静态参数测试的优选工具。

SPA6100半导体参数分析仪

        SPA6100半导体参数分析仪可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试。产品支持最高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量，同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量。搭载专用半导体参数测试软件,支持交互式手动操作或结合探针台的自动操作,能够从测量设置、执行、结果分析到数据管理的整个过程，实现高效和可重复的器件表征；也可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。

        此外，为适应各种功率器件封装类型的需求，普赛斯仪表可提供多样化、精细化、定制化的夹具解决方案，可覆盖TO单管、半桥模组、三相半桥模组等产品的测试。

        展会现场，普赛斯仪表还展示了自主研发的核心源表系列(SMU)、脉冲恒流源 (FIMV)、高压电源 (FIMV、FVMI)、数据采集卡等产品，以及从材料、晶圆到器件的半导体全产业链电性能测试解决方案，吸引了众多业内人士的关注。

结语

        低碳化、智能化是整个电子信息产业的长远发展目标，也是未来的主旋律，而实现目标需要产业链的协同努力。可靠高效的测试设备，是半导体行业发展和进步不可或缺的重要环节之一。

        普赛斯仪表作为国内首家成功实现高精密源/测量单元SMU产业化的企业，具备多年的技术积累和创新成果，未来将始终坚持创新驱动、持续加大研发投入，以更优异的测试技术助力产业发展!